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手動上、下片

設(shè)備配置2C2D、4C、4D設(shè)備產(chǎn)能180WPH襯底材質(zhì)Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等線寬0

設(shè)備配置1C1D、2C、2D襯底材質(zhì)Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等線寬0

晶片尺寸2-9英寸

設(shè)備配置2-4chamber（option:COT、DEV）設(shè)備產(chǎn)能20WPH襯底材質(zhì)Si、Glass等適用工藝深孔噴膠TSV、高深寬比臺階噴膠

全新的操作系統(tǒng)機(jī)構(gòu)，采用人機(jī)工程學(xué)設(shè)計(jì)，限度減輕操作者的使用疲勞，模塊化的部件設(shè)計(jì)，可對系統(tǒng)功能進(jìn)行自由組合，滿足工業(yè)檢測與金相分析的專業(yè)領(lǐng)域需求

全自動的操作系統(tǒng)，極大地減少人為干預(yù)

氣流循環(huán)裝置：內(nèi)置空調(diào)間、循環(huán)風(fēng)道及通風(fēng)電機(jī)

氣流循環(huán)裝置：內(nèi)置空調(diào)間、循環(huán)風(fēng)道及通風(fēng)電機(jī)

單片濕法刻蝕設(shè)備，能適應(yīng)HF,HCL,H3PO4等多種刻蝕液，可刻蝕金屬有Gr、Ni、Ti、Cu、Au等

專用噴膠設(shè)備，適用于表面刻有深孔的高表面形貌圓形或方形基片的噴涂工藝要求，旋流式錐形霧化，可均勻覆蓋臺階表面，噴嘴有自動清洗功能

見詳情表格晶片尺寸2-9英寸

設(shè)備自動完成去膠、剝離工藝，藥液可循環(huán)利用，可配置去膠單元、清洗單元、浸泡單元，基片采用邊緣夾持接觸方式，采用扇狀噴液方式，可保證去膠效果的一致性；浸泡單元采用...

手動上片后完成去膠、剝離工藝，再手動下片