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行業(yè)產(chǎn)品

  • 行業(yè)產(chǎn)品

武漢華工激光工程有限責(zé)任公司


  • 刀輪切割設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 本設(shè)備主要為針對(duì)半導(dǎo)體、3C行業(yè)開(kāi)發(fā)的切割設(shè)備。適用于硅、陶瓷、玻璃、SiC等材料的切割。具有切割速 度快、定位精度高的優(yōu)勢(shì)。設(shè)備配有高精度CCD視覺(jué)系統(tǒng),能夠...

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:武漢市更新時(shí)間:2023-09-21 在線留言

  • 納秒激光劃片設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 采用納秒激光器,針對(duì)GPP晶圓等進(jìn)行精密劃切。 切割頭 自研 重復(fù)定位精度 ±2μm、±5arc sec 設(shè)備重量 1000 Kg

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:武漢市更新時(shí)間:2023-09-21 在線留言

  • 皮秒激光劃片設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 采用紫外皮秒激光器,針對(duì)硅和化合物半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行精密半切或全切。 切割線寬 ≤20±5μm(含HAZ) 崩邊 ≤10μm 整機(jī)尺寸 (mm) 15...

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:武漢市更新時(shí)間:2023-09-21 在線留言

  • 晶圓激光開(kāi)槽設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 本設(shè)備針對(duì)8英寸及以上芯片封測(cè)廠,應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)40nm及以下的low-k晶圓和硅基GaN等晶圓表面劃線或開(kāi)槽加工。 重復(fù)定位精度 ±1μm 視...

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  • 晶圓激光改質(zhì)切割設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 本設(shè)備針對(duì)8英寸及以上芯片封測(cè)廠,應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)硅基晶圓激光改質(zhì)切割。 重復(fù)定位精度 ±1μm 加工頭 自制準(zhǔn)直頭 晶圓尺寸 8 inch(可兼...

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  • 晶圓激光標(biāo)記設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 面向半導(dǎo)體行業(yè),采用晶圓機(jī)械手配合外同軸視覺(jué)定位等技術(shù),實(shí)現(xiàn)2-6英寸晶圓全自動(dòng)激光標(biāo)刻。 平均功率 5W/20W 激光光源 光纖/紫外激光器 整機(jī)尺寸mm 1...

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  • 全自動(dòng)晶圓打標(biāo)設(shè)備

    詳細(xì)摘要: ?針對(duì)泛半導(dǎo)體和3C行業(yè),應(yīng)用于Si、GaN、SiC、玻璃以及表面鍍層材料的各類(lèi)型標(biāo)識(shí),適用于8英寸及以上晶圓。 設(shè)備型號(hào) HD S2113 定位精度 ≤&pl...

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  • 半導(dǎo)體晶圓厚度測(cè)量設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 面向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的原材料生產(chǎn)企業(yè),采用獨(dú)立開(kāi)發(fā)的光譜共焦測(cè)量系統(tǒng),對(duì)半導(dǎo)體原片、外延片的尺寸和平面度進(jìn)行檢測(cè)。 重復(fù)精度 ±0 . 1 μm ...

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  • 半導(dǎo)體晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 面向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中游晶圓生產(chǎn)企業(yè)、下游封裝測(cè)試企業(yè),采用獨(dú)立開(kāi)發(fā)的多通道明暗場(chǎng)并行檢測(cè)系統(tǒng),對(duì)半導(dǎo)體有圖形晶圓、晶粒的外觀缺陷進(jìn)行檢測(cè)。 檢測(cè)精度 3 μm 鏡...

    產(chǎn)品型號(hào):所在地:武漢市更新時(shí)間:2023-09-21 在線留言

  • 半導(dǎo)體襯底缺陷檢測(cè)設(shè)備

    詳細(xì)摘要: 面向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游原材料生產(chǎn)企業(yè)、中游晶圓生產(chǎn)企業(yè),采用獨(dú)立開(kāi)發(fā)的光學(xué)明暗場(chǎng)檢測(cè)系統(tǒng),對(duì)半導(dǎo)體原片、外延片、無(wú)圖形晶圓的外觀缺陷進(jìn)行檢測(cè)。 檢測(cè)精度 7 μm...

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