美國(guó)ABM光刻機(jī)
ABM光刻機(jī)公司成立于1986年,總部位于美國(guó)硅谷San Jose。主要經(jīng)營(yíng)光罩對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)(光刻機(jī)),單獨(dú)曝光系統(tǒng),光強(qiáng)儀/探針。公司的主要市場(chǎng)在美國(guó)和亞洲。
截止到2010年3月,ABM公司在世界范圍售出了800多臺(tái)光刻機(jī),50多臺(tái)單獨(dú)曝光系統(tǒng)。在美國(guó)擁有眾多客戶,最的客戶是美國(guó)NASA和INTEL,ABM光刻機(jī)在中國(guó)臺(tái)灣一,超過(guò)半數(shù)的大學(xué)、研究所和部分工廠使用ABM的光刻機(jī)。
ABM光刻機(jī)在中國(guó)銷售超過(guò)150臺(tái),擁有眾多的不同類型的客戶,包括:國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、各領(lǐng)域研究所、大學(xué)和為數(shù)眾多的工廠,設(shè)備用于生產(chǎn)和研發(fā),ABM光刻機(jī)愿以其*的性能和有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格為中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)提供了優(yōu)良的產(chǎn)品和良好的服務(wù)。
美國(guó)ABM正面對(duì)準(zhǔn)光刻機(jī)
![](https://img68.ppzhan.com/5eceadd4559dcfd222a9e17cfc00676e033e84a12785e58f28cde6b4b9f0dd6d1c32c1f1d46282af.jpg)
型號(hào):ABM/6/350/NUV/DCCD/M
光學(xué)系統(tǒng):
曝光時(shí)間調(diào)解器:0.1至999.9秒(可調(diào)節(jié)精度0.1s)
365-400nm光強(qiáng)傳感及電源供應(yīng)控制電路及反饋閉環(huán);
聲控功率警報(bào)裝置可防止系統(tǒng)功率超過(guò)設(shè)定指標(biāo);
有安全保護(hù)裝置的溫度及其氣流傳感器;
全景準(zhǔn)直透鏡光線偏差半角: <1.84度;
波長(zhǎng)濾片檢查及安裝裝置
抗衍射反射功能高效反光鏡;
二向色的防熱透鏡裝置;
防汞燈泄漏裝置;
配備蠅眼棱鏡裝置
配備近紫外光源,
--220 nm 輸出強(qiáng)度 – 大約 8-10 mW/ cm2
--254 nm 輸出強(qiáng)度 – 大約 12-14 mW/ cm2
--365 nm 輸出強(qiáng)度 – 大約 18-20 mW/ cm2
--400 nm 輸出強(qiáng)度 – 大約 30-35 mW/ cm2
主要配置:
6“,8”光源系統(tǒng)
可支持2“,3”,4“,6”,8“(圓/方片)及碎片光刻(支持特殊工藝卡盤設(shè)計(jì))
手動(dòng)系統(tǒng),半自動(dòng)系統(tǒng),
支持電源350-2000 Watt
支持深紫外近紫外波長(zhǎng)(可選項(xiàng))
CCD或顯微鏡對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
![](https://img68.ppzhan.com/5eceadd4559dcfd222a9e17cfc00676e033e84a12785e58fc51acaecfcdb11874c0d56c5dacfe295.jpg)
主要性能指標(biāo):
光強(qiáng)均勻性Beam Uniformity::
--<±1% over 2” 區(qū)域
--<±2% over 4” 區(qū)域
--<±3% over 6” 區(qū)域
接觸式樣曝光特征尺寸CD(深紫外DUV):0.35 um
接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV): 0.5 um
支持接近式曝光,特征尺寸CD:
--0.8um 硬接觸
--1um 20 um 間距時(shí)
--2um 50um 間距時(shí)
正面對(duì)準(zhǔn)精度±0.5um
支持正膠、負(fù)膠及Su8膠等的厚膠光刻,特征尺寸:100um-300um
支持LED優(yōu)異電流控制技術(shù)PSS工藝光刻
支持真空、接近式、接觸式曝光
支持恒定光強(qiáng)或恒定功率模式