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ICP-500全自動感應耦合等離子體刻蝕機

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產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質其他

所  在  地北京市

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聯(lián)系人:林平

產(chǎn)品簡介

本產(chǎn)品是“感應耦合離子體刻蝕機(ICP)"的全自動產(chǎn)品

詳細介紹

本產(chǎn)品是“感應耦合離子體刻蝕機(ICP)"的全自動產(chǎn)品。

詳細描述

本產(chǎn)品具有三種功能:等離子體刻蝕(PE)、反應離子刻蝕(RIE)、感應耦合等離子體刻蝕(ICP)。其刻蝕原理不盡相同,既有純化學的,也有物理與化學相結合的模式。它既可以進行細線條(納米)加工,又可以進行體加工。

本設備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復性好等特點,它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應用范圍更廣??煽涛g的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

本產(chǎn)品通過對真空系統(tǒng)、工作壓強、射頻電源匹配、氣體流量及工藝過程的全自動控制,使工藝的重復性、穩(wěn)定性、可靠性得到有效保證,并能精確地控制圖形的剖面,從而獲得好的刻蝕效果。 

本產(chǎn)品通過軟、硬件相互配合的互鎖、智能監(jiān)控、在線狀態(tài)記憶、斷點保護等設計,結合各種硬保護裝置、使設備的安全性、可靠性得到有效保證。 

本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機等領域的器件研發(fā)和制造。 


產(chǎn)品主要性能指標 


型號

ICP-500

真空系統(tǒng)

分子泵機組

刻蝕室數(shù)量

單室

刻蝕室規(guī)格

?300×280mm

電極尺寸

?200mm

刻蝕材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等

刻蝕速率

~4 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關)

刻蝕不均勻性

≤±5%

自動化程度

真空系統(tǒng)、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動控制。

人機界面

Windows環(huán)境、觸摸屏操作

操作方式

全自動方式、非全自動方式

自動化裝置的選配

可選擇進口件或國產(chǎn)件


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