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“刻蝕—淀積”組合機2

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產(chǎn)品型號

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地北京市

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更新時間：2023-07-03 09:07:51瀏覽次數(shù)：120次

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經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：27條

所在地區(qū)：

聯(lián)系人：林平

產(chǎn)品簡介

“刻蝕–濺射"組合機（JR-2B）、“刻蝕–淀積"組合機（CVE-2B）、“刻蝕–淀積"組合機（ICV-500）和“濺射–淀積"組合機（JCV-2B）都是根據(jù)用戶要求需設(shè)計的

詳細(xì)介紹

“刻蝕–濺射"組合機（JR-2B）、“刻蝕–淀積"組合機（CVE-2B）、“刻蝕–淀積"組合機（ICV-500）和“濺射–淀積"組合機（JCV-2B）都是根據(jù)用戶要求需設(shè)計的，就其功能和性能指標(biāo)而言與濺射臺、淀積臺、刻蝕機都是相同的，其主要特點是省去了一套電源系統(tǒng)和真空獲得系統(tǒng)，從而以相對優(yōu)惠的價格滿足不同用戶的要求.

產(chǎn)品主要性能指標(biāo)


型號

ICV-500

真空系統(tǒng)

分子泵機組

淀積室規(guī)格

?400×150mm

淀積室樣片臺尺寸

?290mm（熱均勻區(qū)?220mm）

淀積材料

SiO2、Si3N4、非晶硅、碳化硅、類金剛石等。

淀積速率

200 - 300 ?/min （與淀積材料和工藝有關(guān)）

淀積樣片臺加熱溫度

300℃

淀積不均勻性

≤ ±5%

刻蝕室規(guī)格

?300×280mm

刻蝕電極尺寸

?200mm

刻蝕材料

Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。

刻蝕速率

0.1 – 1 μ/min （與刻蝕材料和工藝有關(guān)）

刻蝕不均勻性

≤±5%


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