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1410J-100加速度傳感器

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深圳市現(xiàn)代豪方儀器儀表科技有限公司

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產(chǎn)品簡介

詳細介紹

1410J-100加速度傳感器PDF資料：

品牌：美國SDI
型號：1410型
類別：數(shù)字加速度計

20PIN JLCC	20PIN LCC	量程
1410J-002	1410L-002	±2g
1410J-005	1410L-005	±5g
1410J-010	1410L-010	±10g
1410J-025	1410L-025	±25g
1410J-050	1410L-050	±50g
1410J-100	1410L-100	±100g
1410J-200	1410L-200	±200g

特點：

·數(shù)字脈沖密度輸出

·1010型的直接替換

·集成式傳感器和放大器

·工作溫度范圍 -55 to +125 °C

·+5 VDC, 2 mA 供電(典型值)

·LCC或J引線表面貼裝封裝

·對直流和交流加速度都有響應(yīng)

·無外部參考電壓

·易于連接微處理器，兼容TTL / CMOS

·氮氣阻尼和密封

·電容式微加工和序列化實現(xiàn)的可追溯性

·良好的EMI電阻

簡單介紹

1410型是一款集成式加速度計，適用于零頻至中頻儀表應(yīng)用。每個微型密封封裝均包含一個微機械電容式感應(yīng)元件和一個定制集成電路，其中包括一個感應(yīng)放大器和一個三角積分A/D轉(zhuǎn)換器。它對溫度變化和梯度相對不敏感。每個設(shè)備的頂部和底部均標(biāo)有序列號，以實現(xiàn)可追溯性。還提供可選的校準(zhǔn)測試（1410-TST），其中列出了測量的偏置，比例因子、線性度、工作電流和頻率響應(yīng)。

性能：

輸入量程	頻響（最小值 3DB）	差分靈敏度	機械沖擊（0.1 MS）
g	Hz	kHz/g	g(peak）
±2	0-400	62.5	2000
±5	0-500	25	2000
±10	0-700	12.5	5000
±25	0-1000	5
±50	0-1300	2.5
±100	0-1600	1.25
±200	0-1900	0.625

By Model:VDD=VR=5.0 VDC, FCLK=250kHz, TC=25°C

參數(shù)：

參數(shù)	最小值	典型值	值	單位
橫軸靈敏度		2	3	±%
偏差校準(zhǔn)誤差¹		0.2	0.5	±% of F_CLK(span)
位置溫度漂移（Tc=-55 to +125℃）¹	200	0	+200	(PPM of F_CLK)/℃
比例因子校準(zhǔn)誤差^1，2		0.75	2	±%
比例因子溫度漂移 (TC= -55 to +125°C) 1	0		+200	PPM/℃
非線性 (滿量程的-90 到 +90% ) 1,2		0.5	1.0	±% of span
長期偏置穩(wěn)定性		1000	2000	± PPM of span
運行中穩(wěn)定性		18	30	± PPM of span
長期比例因子穩(wěn)定性		500	1000	± PPM
接通瞬態(tài) (小于0.5ms)		38		± PPM of span
工作電壓 (V_DD vs. GND)	4.5	5.0	5.5	Volts
工作電流 (l_DD + l_VR)¹		2	3	mA
時鐘輸入電壓范圍（相對于GND）	0.5		V_DD+0.5	Volts
L"型封裝重量 (“J"型封裝增加0.06克)		0.62		Grams

VDD=VR=5.0 VDC, FCLK=250 kHz, TC=25°C

直流特性 VDD=VR=5.0 VDC, TC= 55 to +125°C

參數(shù)		最小值	典型值	值	單位	測試條件
V_T-	負向閾值電壓 (CLK)	0.9	1.7		V
V_T+	正向閾值電壓 (CLK)		3.0	3.7	V
V_H	遲滯電壓 (CLK)	0.5	1.3		V
V_OL	輸出低電壓 (CNT, DIR, CLK/2)			0.4	V	I_OL = 2.0 mA
V_OH	輸出高電壓 (CNT, DIR, CLK/2)	V_DD- 0.4			V	I_O_H = 2.0 mA
L_I	輸入漏電流 (CLK)			10	μA	V_I = 0 to V_DD
C_IO	引腳電容			10	pF	1MHz, T_A = 25℃
I_DD+I_VR	工作電流		2	3	mA	F_CLK = 250kHz

直流特性 VDD=VR=5.0 VDC, TC= -55 to +125°C, Load Capacitance=50pF.

參數(shù)	最小值	典型值	值	單位
CLK 輸入頻率	100	250	1000	KHz
CLK 輸入上升/下降時間			50	ns
CLK 工作周期	45	50	55	%
CLK下降至DIR下降	40	85	195	ns
CLK下降至DIR上升	40	90	205	ns
CLK上升到有效CNT out	40	90	230	ns
CLK下降至CNT下降	40	85	205	ns
CLK下降至CLK/2上升/下降	40	90	210	ns

額定值

外殼工作溫度⁴	-55 to +125℃	*注意:大于上述應(yīng)力可能對設(shè)備造成性損傷。這些只是壓力評級。不保證設(shè)備在這些條件或以上的情況下正常運行。長時間暴露在額定值條件下可能會影響設(shè)備的可靠性和壽命。
儲藏溫度⁴	-55 to +125℃
V_DD 到GND的電壓	-0.5V to 6.5V
任何引腳(DV除外)到GND的電壓³	-0.5V to V_DD+ 0.5V
DV 到 GND的電壓⁵	±15V
功率損耗	20mW

注4：在暴露于不高于175°C的高溫下，操作仍可繼續(xù)。盡量減少暴露在125℃以上，以延長使用壽命。

注5：施加高于使輸出達到正滿量程所需的DV電壓可能會導(dǎo)致設(shè)備損壞。

1410型產(chǎn)生一個數(shù)字脈沖序列，其中脈沖密度（每秒的脈沖數(shù)）與施加的加速度成比例。它需要一個+5V的電源和TTL/CMOS電平時鐘100kHz-1MHz。輸出是比值時鐘頻率和獨立于電源電壓。提供了兩種形式的數(shù)字信號，用于直接與微處理器或計數(shù)器連接。敏感軸垂直于包裹的底部，正加速度定義為壓在包裹底部的力。外部數(shù)字線路驅(qū)動器可以用來驅(qū)動長電纜，或者在電噪聲環(huán)境中使用。

信號描述

VDD 和 GND (供電): 引腳14（VDD）和引腳19（GND）另外，引腳3和11連接至VDD，引腳2,5,6和18連接至GND。CLK (輸入): 引腳8。參考時鐘輸入。該遲滯閾值輸入必須由占空比為50％的方波信號驅(qū)動。出廠校準(zhǔn)以250 kHz進行，這是為獲得結(jié)果而推薦的時鐘頻率。可以在低至100 kHz或高至1 MHz的頻率下運行，但是可能會導(dǎo)致輕微的偏置偏移。

CNT (output): 引腳10。計數(shù)輸出。歸零型數(shù)字脈沖流，其脈沖寬度等于輸入CLK邏輯高電平時間。CNT脈沖速率隨正加速度而增加。該設(shè)備的蓋子在地球引力場引力場中朝上，經(jīng)歷了正（+ 1g）加速。該信號旨在直接驅(qū)動遞增計數(shù)器。

DIR(輸出): 引腳分別為12和16，方向輸出，在每個時鐘周期的下降沿更新此輸出。

當(dāng)出現(xiàn)高CNT脈沖時，在時鐘周期中為高，當(dāng)沒有CNT脈沖時，其周期為低。非歸零信號旨在控制計數(shù)器的計數(shù)方向（即向上或向下）DIR 可以經(jīng)過低通濾波以產(chǎn)生加速度的模擬量。是DIR的補充，可用于驅(qū)動差分傳輸線。

DV (輸入): 引腳4，偏轉(zhuǎn)電壓，通常保持打開狀態(tài)。測試輸入，將靜電力施加到感測元件，以模擬正加速度。該引腳的標(biāo)稱電壓為VDD。DV電壓高于使輸出達到正滿量程所需的電壓可能會損壞設(shè)備。

VR (輸入): 引腳3，參考電壓，直接連接到VDD（+ 5V）建議在該引腳上使用一個0.1μF的旁路電容。

CLK/2 (輸出): 引腳15時鐘除以2，頻率等于CLK除以2的緩沖時鐘輸出。

使用計數(shù)（CNT）輸出：來自CNT輸出的脈沖應(yīng)在硬件計數(shù)器中累積，每個脈沖累積或采樣都反映該間隔內(nèi)的平均加速度（速度變化），這些脈沖在其上累積的采樣周期或“門時間"決定了帶寬和測量的量化。

由上面的個方程可知，隨著采樣率的降低(即采樣周期的延長)，量化會變得更細，但帶寬會減少。相反，隨著采樣速率的增加，量子化會變得更粗糙，但測量的帶寬會增加。第二和第三個方程顯示了如何CNT脈沖頻率等于應(yīng)用的g力。當(dāng)使用頻率計數(shù)器來監(jiān)測CNT輸出脈沖率時，必須使用帶有直流耦合輸入的計

數(shù)器。CNT的輸出是一個歸零信號，其占空比從0到50%，從負滿量程到正滿量程加速度。當(dāng)占空比在50%左右發(fā)生顯著變化時，帶有交流耦合輸入的頻率計數(shù)器將會產(chǎn)生錯誤讀數(shù)。左邊的圖說明了當(dāng)加速度計受到從負滿量程(-FS)到正滿量程(+FS)的加速度時，CNT和DIR輸出是如何變化的。

偏轉(zhuǎn)電壓(DV)測試輸入: 該測試輸入對感應(yīng)元件施加靜電力，模擬正加速度。它的標(biāo)稱輸入阻抗為32kΩ，標(biāo)稱開路電壓為VDD。

為了在正常操作期間達到精度，應(yīng)將該輸入保持未連接狀態(tài)或連接至等于VDD電源1/3的電壓源。

輸出脈沖率的變化（Δf）與施加到DV輸入（VDV）的電壓和?VDD之間的差的平方成正比。通過將電壓施加到DV輸入，只能產(chǎn)生輸出脈沖率的正向偏移。

將電壓施加到DV輸入時，應(yīng)逐漸施加電壓。施加高于使輸出達到正滿量程所需的DV電壓可能會導(dǎo)致設(shè)備損壞。比例常數(shù)（k）隨每個設(shè)備的不同而有所不同。

ESD和LATCH-UP注意事項：1410型加速度計是CMOS器件，容易受到大的靜電放電損壞。在輸入和輸出上提供了二極管保護，但在搬運過程中應(yīng)格外小心，以確保僅將設(shè)備放置在接地的導(dǎo)電表面上。人員和工具在接觸設(shè)備之前應(yīng)接地。請勿將1410型插入電源插座（或從電源插座中取出）。

推薦連接

直徑	英寸	毫米
A	.230	5.84
B	.430	10.92
C	.100	2.54
D	.033	0.84
E	.050	1.27
F	.013	0.33
G	.120	3.05

符合RoHS要求: 1410型不包含鉛元素，并且符合RoHS要求。

焊接: 焊料回流不應(yīng)超過239℃，超過這個溫度可能會導(dǎo)致性損傷。

建議對加速度計導(dǎo)線進行預(yù)鍍錫：為了防止金遷移引起的焊點脆化，預(yù)先對加速度計引線進行鍍錫。

焊點電鍍信息：“ L"型（LCC）封裝上焊錫盤和鑄件的鍍層成分和厚度為60至225微英寸厚的金(Au)、80至350微英寸厚的鎳(Ni)和至少5微英寸厚的鉬錳或鎢耐火材料。J型引線封裝頂層是100到225微米厚的99.7%金(Au)，超過80到350微米厚的電鍍鎳(Ni)。

推薦的焊盤圖案：LCC和 J LCC封裝的推薦焊盤尺寸和形狀如下圖和表格所示。這些尺寸僅是建議值，不一定適合您的特定焊接工藝。

封裝尺寸

1. *尺寸“M"、“T"和“U"確定傳感元件的質(zhì)心。

2. 蓋子被電系在19號終端(GND)上。

3. 控制維度:英寸。

4. 端子鍍有60微英寸以上的金和80微英寸以上的鎳。該電鍍規(guī)范不適用于J引線封裝版本底部的Pin-1標(biāo)識符標(biāo)記。

5. 包裝：最少90％氧化鋁（黑色），蓋：焊接密封的可伐鐵。

直徑	英寸		毫米
	最小值	值	最小值	值
A	0.342	0.358	8.69	9.09
B	0.346	0.378	8.79	9.60
C	0.055 TYP		1.40 TYP
D	0.095	0.115	2.41	2.92
E	0.085 TYP		2.16 TYP
F	0.050 BSC		1.27 BSC
G	0.025 TYP		0.64 TYP
H	0.050 TYP		1.27 TYP
J	0.004 x 45°		0.10 x 45°
K	0.010 R TYP		0.25 R TYP
L	0.016 TYP		0.41 TYP
M	0.066 TYP		1.68 TYP
N	0.050	0.070	1.27	1.78
P	0.017 TYP		0.43 TYP
R	0.023 R TYP		0.58 R TYP
T	0.085 TYP		2.16 TYP
U	0.175 TYP		4.45 TYP