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場發(fā)射透射電子顯微鏡

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產(chǎn)品型號(hào)//TALOS F200X

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產(chǎn)品簡介

性能指標(biāo)加速電壓:200KV;電子槍:肖特基熱場發(fā)射超亮電子槍;TEM點(diǎn)分辨率:0.25nm;TEM信息分辨率:0.12nm;STEM分辨率:0.16nm;樣品傾斜角度X/Y:30;能譜能量分辨率:136ev;元素檢測范圍:B~U元素

詳細(xì)介紹

性能指標(biāo)

加速電壓: 200 KV; 電子槍:肖特基熱場發(fā)射超亮電子槍; TEM點(diǎn)分辨率:0.25 nm; TEM信息分辨率: 0.12 nm; STEM分辨率: 0.16 nm; 樣品傾斜角度X/Y:±30°; 能譜能量分辨率:136 ev; 元素檢測范圍:B~U元素。 

主要應(yīng)用

1. 對(duì)各種材料內(nèi)部微結(jié)構(gòu)進(jìn)行觀察; 2. 粉末、納米顆粒形貌和粒徑觀察; 3. 選區(qū)電子衍射和晶體結(jié)構(gòu)分析; 4. 金屬、陶瓷、半導(dǎo)體、塑料、等顯微結(jié)構(gòu)分析; 5. 配合能譜儀可以對(duì)樣品元素做面分布分析,以及各種元素進(jìn)行定性和半定量微區(qū)分析,元素檢測范圍:B~U元素; 6. 利用三維樣品桿可以實(shí)現(xiàn)TEM、STEM和EDS三維重構(gòu)。

樣品要求

1. 透射電鏡不能直接觀察所有含有鐵鈷鎳元素的樣品,請(qǐng)做如下處理,否則不予以觀察:粉末樣品請(qǐng)包埋切片,塊體樣品請(qǐng)F(tuán)IB切片; 2. 透射電鏡能夠觀察200nm以下的樣品; 3. 對(duì)于粉末和液體樣品,要求樣品均勻分散在支持膜上并且干燥,能夠區(qū)分正反面; 4. 對(duì)于塊體樣品,要求樣品大小為直徑3mm的圓,厚度小于200nm; 5. 高分辨樣品要求厚度小于10nm。

儀器說明

1. FEI Talos F200X 場發(fā)射透射電鏡的電子槍為肖特基熱場發(fā)射超亮電子槍,STEM 分辨率可以達(dá)到0.16nm。 2. 配備4個(gè)SDD探頭的超級(jí)能譜集成到了透射電鏡的極靴里面,對(duì)稱地放在樣品的上方,可以高效率探測到微量元素,以及材料成分在一維,二維,甚至三維空間的分布信息。 3. Talos F200X 還安裝了STEM明場和暗場探頭,可以同時(shí)得到STEM的明場像和暗場像以及髙角環(huán)形暗場像(HAADF)。

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