簡單介紹：主要特長采用獨自的鏡面?鏡頭光學系統(tǒng),實現(xiàn)**均勻的照射。配備有可設(shè)定非接觸?面內(nèi)均一間隙的間隙傳感器和對應(yīng)多層曝光的顯微鏡、X?Y?θ軸對位臺的對位系統(tǒng)。采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微細移動)能夠控制厚膜光刻膠的側(cè)壁傾斜角度,形成三維微細構(gòu)造體。

詳細介紹

詳情介紹：

光刻機介紹

曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″

光源超高壓水銀燈：500W or 1kW

曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm

光源超高壓水銀燈：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″

光源超高壓汞燈：500W 或 1kW

?200mm/?150 mm 對應(yīng)曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對齊精度自動對齊：+/- 1 μm（
峰值搜索）

?300mm對應(yīng)曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規(guī)格也可對應(yīng)

マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區(qū)域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要規(guī)格

		MUM系列
掩膜尺寸		Max 9″ x 9″ x t3.0 mm
基板尺寸		Max Φ8″(Wafer)
光源		超高壓水銀燈：500W or 1kW
外觀尺寸及重量	本體尺寸	W2120 x D1305 x H1850 mm
外觀尺寸及重量	本體重量	640kg

以上信息由企業(yè)自行提供，信息內(nèi)容的真實性、準確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負責，包裝印刷網(wǎng)對此不承擔任何保證責任。溫馨提示：為規(guī)避購買風險，建議您在購買產(chǎn)品前務(wù)必確認供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。

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